σύνθετα υλικά με αέριο υδρογονανθράκων ως πηγή άνθρακα, σύνθετα υλικά SiC, κλίμακας CVD, κλίμακας CVI

1) Σε μέση ή υψηλή θερμοκρασία, σχηματίζεται στερεό υλικό και εναποτίθεται στη μήτρα μέσω της χημικής αντίδρασης φάσης αερίου μεταξύ των αρχικών ενώσεων στη φάση αερίου.

2) Μπορεί να εναποτεθεί υπό ατμοσφαιρική πίεση ή συνθήκες κενού (εναπόθεση υπό αρνητική πίεση "εναπόθεση, συνήθως η ποιότητα της μεμβράνης εναπόθεσης κενού είναι καλύτερη).

3) Μπορεί να ελέγξει την πυκνότητα της επίστρωσης και την καθαρότητα της επίστρωσης.

4) Η χρήση τεχνολογίας υποβοηθούμενης από πλάσμα και λέιζερ μπορεί να προωθήσει σημαντικά τη χημική αντίδραση, έτσι ώστε η εναπόθεση να μπορεί να πραγματοποιηθεί σε χαμηλότερη θερμοκρασία.

5) Η χημική σύνθεση της επίστρωσης μπορεί να αλλάξει με την αλλαγή της σύνθεσης της φάσης αερίου, ώστε να ληφθεί ιζηματοποίηση βαθμίδας ή μικτή επίστρωση.

6) Μπορεί να σχηματίσει ποικιλία μεταλλικών, κραμάτων, κεραμικών και σύνθετων επιστρώσεων μέσω διαφόρων αντιδράσεων.

7) γύρω από τα επιμεταλλωμένα μέρη. Μπορεί να επικαλυφθεί σε μήτρα σύνθετου σχήματος και κοκκώδες υλικό. Κατάλληλο για την επικάλυψη όλων των ειδών σύνθετων σχημάτων του τεμαχίου εργασίας. Λόγω της καλής απόδοσης επίστρωσης, μπορεί να επικαλυφθεί με αυλακώσεις, εσοχές, οπές, ακόμη και τυφλές οπές του τεμαχίου εργασίας.

8) Το εναποτεθειμένο στρώμα έχει συνήθως μια κιονοειδή κρυσταλλική δομή και δεν είναι ανθεκτικό στην κάμψη, αλλά η δομή του μπορεί να βελτιωθεί με διαταραχή της φάσης αερίου της χημικής αντίδρασης μέσω διαφόρων τεχνικών.